ИКТешники
Главная | Регистрация | Вход
Вторник, 07.02.2023, 22:10
             
Меню сайта
Наш опрос
Оцените мой сайт

Всего ответов: 38
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Главная » 2012 » Декабрь » 25 » Разработан новый тип малопотребляющей, быстродействующей и энергонезависимой памяти.
07:50
Разработан новый тип малопотребляющей, быстродействующей и энергонезависимой памяти.


Память MeRAM


Используя управление электрическим потенциалом вместо управления электрическим током, исследователям из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе удалось сделать кардинальные усовершенствования технологии сверхскоростной и высокопроизводительной магниторезистивной памяти с произвольным доступом (magnetoresistive random access memory, MRAM). Новый тип памяти получил название MeRAM (magnetoelectric random access memory), и у этой технологии имеется огромный потенциал для того, что бы стать основой новых микросхем оперативно-постоянной памяти для смартфонов, SSD-дисков, планшетных и обычных компьютеров.

Технология памяти MeRAM отличается низким потреблением энергии в сочетании очень высокой плотностью хранения информации, быстродействием, малыми значениями чтения и записи информации. Но самым основным ее "коньком" является энергонезависимость - способность хранения информации в то время, когда эта память не подключена к внешнему источнику энергии.

Современные технологии магнитной и магниторезистивной памяти основаны на использовании электрического заряда электронов с его моментом вращения, спином, (spin-transfer torque, STT). Но такая память все еще требует достаточно большого количества энергии и плотность хранения информации ограничена тем, что нельзя физически располагать ячейки памяти близко друг к другу.

В технологии MeRAM управление электрическим током, такое как используется в технологии STT, заменена управлением электрическим напряжением, разностью потенциалов. Это избавляет от необходимости перемещать большие группы электронов через проводники, делая такую систему в 10-1000 раз более эффективную с точки зрения потребляемой энергии. Отсутствие электрического тока обуславливает отсутствие выделяющегося паразитного тепла, что позволяет сделать память MeRAM в пять раз более плотной, нежели обычная память STT.

"Реализованная способность переключения наноразмерных магнитов с помощью электрического потенциала является перспективным направлением исследований в области магнетизма и электромагнетизма, которая может быть использована не только в технологиях компьютерной памяти" - рассказывает Педрэм Хэлили (Pedram Khalili), научный сотрудник Калифорнийского университета. - "Мы надеемся, что в ближайшем будущем технология MeRAM воплотится в виде реального продукта, который продемонстрирует все преимущества MeRAM перед MRAM. Благодаря эти преимуществам память MeRAM может быть успешно использована в тех областях, где самыми главными критериями являются низкая стоимость и высокая производительность".

Технология MeRAM может стать тем, что сделает энергонезависимыми и существенно увеличит функциональность существующих микроконтроллерных систем, систем, на кристалле которых объединены память, логические схемы, вычислительное ядро и другая внутренняя периферия.

Просмотров: 579 | Добавил: Nasrudi | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Имя *:
Email *:
Код *:
Вход на сайт
Логин:
Пароль:
Поиск
Календарь
«  Декабрь 2012  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
     12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
31
Архив записей
Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz
  • R.N.R. Presents © 2023